繼Hi3G在瑞典部署全球首張TDD/FDD融合網(wǎng)絡(luò)后，中國(guó)移動(dòng)在香港建設(shè)的TDD/FDD無(wú)縫融合網(wǎng)絡(luò)建設(shè)再次向人們證明，TDD/FDD融合組網(wǎng)將有可能成為全球LTE部署的重要方式。
融合將助推TD-LTE國(guó)際化
縱觀全球市場(chǎng)，截止2012年6月，全球LTE用戶數(shù)量已經(jīng)達(dá)到2393萬(wàn)。其中，美國(guó)、日本和韓國(guó)成為全球LTE發(fā)展最快的市場(chǎng)，用戶數(shù)分別達(dá)到1329萬(wàn)、292萬(wàn)、584萬(wàn)，在全球用戶占比中達(dá)到92%。而這其中絕大部分是FDD LTE用戶。
目前，全球已經(jīng)有99個(gè)國(guó)家的327個(gè)運(yùn)營(yíng)商投資LTE網(wǎng)絡(luò)，81個(gè)LTE商用網(wǎng)絡(luò)完成部署，其中，有10家運(yùn)營(yíng)商開(kāi)通了TD-LTE商用服務(wù)，包括沙特Mobily、STC，日本Softbank，巴西SKY TV，瑞典Hi3G，英國(guó)UK Broadband，印度Bharti Airtel，丹麥Hi3G，澳大利亞NBN，波蘭AERO2等。在網(wǎng)絡(luò)數(shù)量方面，TD-LTE全面落后于FDD LTE，TD-LTE國(guó)際化進(jìn)程亟待加速。
同時(shí)，在終端方面，截至2012年6月，LTE終端產(chǎn)品達(dá)到417款，較去年同期增長(zhǎng)3倍。LTE智能手機(jī)也增長(zhǎng)迅速，2012年上半年增長(zhǎng)了73%，已經(jīng)達(dá)到83款。而這其中絕大多數(shù)是FDD LTE終端。目前，高通已經(jīng)少量推出了28納米芯片的FDD LTE芯片，TD-LTE芯片還停留在40納米，國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)相對(duì)于國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)還存在比較大的差距。
在這樣的情況下，實(shí)現(xiàn)TDD與FDD雙模部署，對(duì)于推動(dòng)TD-LTE國(guó)際化十分有利。同時(shí)，由于國(guó)際上很多運(yùn)營(yíng)商手握TDD頻譜，在歐美一些地區(qū)，TDD頻譜的獲得成本要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于FDD，實(shí)現(xiàn)TDD/FDD雙模部署有利于充分利用頻譜資源，降低LTE的整體成本。
融合有利于優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)
實(shí)際上，在技術(shù)方面，TDD與FDD融合部署已經(jīng)完全可行。中興通訊專家表示，TDD和FDD在同一平臺(tái)上具有可實(shí)現(xiàn)性。TD-LTE與FDD LTE在技術(shù)規(guī)范上存在非常大的共通性和統(tǒng)一性。TD-LTE與FDD LTE共享相同的二層和三層結(jié)構(gòu)，一層(物理層)差異主要表現(xiàn)在幀結(jié)構(gòu)。因此，TD-LTE與FDD LTE在系統(tǒng)側(cè)和終端側(cè)都能比較容易且低成本地實(shí)現(xiàn)對(duì)雙模的支持。TD-LTE與FDD LTE之間的互操作基本可視為系統(tǒng)內(nèi)互操作。
在網(wǎng)絡(luò)覆蓋方面，TD-LTE與FDD LTE采用的鏈路級(jí)關(guān)鍵技術(shù)基本一致，解調(diào)性能相近。TDD系統(tǒng)多天線技術(shù)的靈活應(yīng)用，能夠較好的抗干擾并提升性能和覆蓋。在同頻組網(wǎng)能力方面，兩者均可做到業(yè)務(wù)信道同頻組網(wǎng)，兩者的控制信道的覆蓋能力系統(tǒng)都能夠支持同頻組網(wǎng)。在具體機(jī)制方面，兩者的切換、功控機(jī)制相同，同步、重選、物理層信道編解碼等能力上沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別。在系統(tǒng)干擾來(lái)源方面，TDD系統(tǒng)是時(shí)分系統(tǒng)，上下行時(shí)隙之間可能有干擾，需要通過(guò)時(shí)隙規(guī)劃來(lái)進(jìn)行協(xié)調(diào)。在頻率規(guī)劃和時(shí)隙規(guī)劃方面，F(xiàn)DD只有頻率規(guī)劃，結(jié)合ICIC來(lái)完成，而TDD系統(tǒng)有頻率規(guī)劃和時(shí)隙規(guī)劃，頻率規(guī)劃結(jié)合ICIC來(lái)完成，時(shí)隙規(guī)劃根據(jù)業(yè)務(wù)分布、干擾隔離等方面在組網(wǎng)中進(jìn)行考慮。
終端芯片融合沒(méi)有技術(shù)門檻
在終端芯片方面，F(xiàn)DD和TDD也具備融合的條件。中興通訊專家表示，在射頻芯片方面，單射頻芯片支持TD-LTE和FDD LTE不存在技術(shù)門檻。在基帶芯片方面，TD-LTE和FDD LTE在標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議層面存在約10%的差異，TDD和FDD LTE共芯片沒(méi)有技術(shù)門檻和難度。所有LTE芯片廠家已經(jīng)或即將支持TD-LTE和FDD LTE共基帶芯片。
因此，雙模終端融合沒(méi)有技術(shù)門檻，產(chǎn)業(yè)鏈將日趨成熟。
